【图文导读】图一、超坑TSEOP诱导ICD和增强抗肿瘤免疫力图二、TSEOP的合成途径以及CA和QM的刺激响应释放（A）TSEOP的合成路线。
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近日，武侠王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如图一所示。利用同步辐射技术来表征材料的缺陷，变成化学环境用于机理的研究已成为目前的研究热点。
